50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR The part **ZXT13N50DE6** is manufactured by **ZETEX** (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **ZXT13N50DE6** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (0.38Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

For exact application details, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).