50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR The **ZXT14N50DXTA** is a **N-channel enhancement mode MOSFET** manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **ZXT14N50DXTA** is a **high-voltage MOSFET** designed for switching applications requiring efficient power handling. It is housed in a **TO-252 (DPAK)** surface-mount package, making it suitable for compact designs.  

### **Key Features:**  
- **High voltage capability (500V)**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche energy rated** for robustness in inductive loads  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet from **Diodes Incorporated** (formerly ZETEX).