12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR The part **ZXT14P12DXTA** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -12V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** -1A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (minimum) at I_C = -100mA  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-223 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- Designed for low-voltage, high-current switching applications.  
- Suitable for general-purpose amplification and switching.  
- Features high current gain and low saturation voltage.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved efficiency.  
- Low saturation voltage for reduced power loss.  
- Compact SOT-223 package for space-saving PCB designs.  
- RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.