DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR The ZXTD09N50DE6TA is a power MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** ZETEX (Diodes Incorporated)  
- **Part Number:** ZXTD09N50DE6TA  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The ZXTD09N50DE6TA is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and inverters.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing good thermal performance.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (0.6Ω max at 10V)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.