DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS The part **ZXTD4591E6TA** is manufactured by **DIODES**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23-6  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -40V  
- **Collector Current (I_C):** -3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) @ I_C = 1A  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- A high-performance PNP transistor designed for switching and amplification applications.  
- Suitable for power management in portable electronics, battery chargers, and motor control.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in switching applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 3A collector current.  
- **Compact Package:** SOT-23-6 footprint for space-constrained designs.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet.

DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS The part **ZXTD4591E6TA** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (SC-59)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 500mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) @ IC = -10mA, VCE = -5V  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **ZXTD4591E6TA** is a high-voltage PNP transistor designed for switching and amplification applications. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability** (up to -60V)  
- **High Current Gain (hFE)** for improved efficiency  
- **Fast Switching Speed** (200MHz fT)  
- **Low Saturation Voltage** for reduced power loss  
- **Compact SOT-23 Package** for PCB space savings  

This transistor is commonly used in power management, signal amplification, and switching circuits.  

(Note: Always refer to the latest datasheet from Diodes Incorporated for updated specifications.)