DUAL 50V NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR The part **ZXTD619MCTA** is manufactured by **DIODES**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-89  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V  
- **Collector Current (IC):** -3A  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) @ IC = -500mA, VCE = -5V  
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **ZXTD619MCTA** is a **PNP** transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in an **SOT-89** package, providing a compact footprint suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for switching and linear amplification  
- RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance characteristics, refer to the official datasheet from **DIODES**.