COMPLEMENTARY NPN/PNP LOW SATURATION DUAL TRANSISTORS The part **ZXTD6717E6TA** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  
### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Darlington Transistor  
- **Package:** SOT-23 (3-Lead)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V  
- **Collector Current (IC):** -3A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25W  
- **DC Current Gain (hFE):** 1000 (min) at IC = -500mA  
- **Saturation Voltage (VCE(sat)):** -1.2V (max) at IC = -1A  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Description:**  
The **ZXTD6717E6TA** is a high-performance PNP Darlington transistor designed for switching and amplification applications. It features a high current gain and low saturation voltage, making it suitable for driving loads in power management circuits.  
### **Features:**  
- High current gain (hFE ≥ 1000)  
- Low saturation voltage for improved efficiency  
- High collector current capability (-3A)  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs  
- Suitable for automotive and industrial applications  
For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).