HIGH GAIN, LOW VCE(SAT) NPN BIPOLAR TRANSISTOR The ZXTN26020DMFTA is a NPN bipolar transistor manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Bipolar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 20V  
- **Collector Current (I_C):** 6A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 3.1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) @ I_C = 2A  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Package:** SOT-89 (Surface Mount)  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High current gain (h_FE) for better performance in switching and amplification.  
- Suitable for power management, motor control, and general-purpose amplification.  
- Compact SOT-89 package for space-constrained applications.  

For detailed datasheet information, refer to the manufacturer's documentation.

HIGH GAIN, LOW VCE(SAT) NPN BIPOLAR TRANSISTOR

HIGH GAIN, LOW VCE(SAT) NPN BIPOLAR TRANSISTOR The part **ZXTN26020DMFTA** is manufactured by **DIODES**.  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):** 60V  
- **Current - Collector (Ic) (Max):** 6A  
- **Power - Max:** 3W  
- **DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:** 100 @ 1A, 2V  
- **Frequency - Transition:** 150MHz  
- **Operating Temperature:** -55°C to +150°C  
- **Package / Case:** SOT-23F-3  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Current Gain:** Provides efficient amplification.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact SOT-23F-3 Package:** Space-saving design for modern electronics.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Reliable performance in various environments.  

This transistor is commonly used in power management, amplification, and switching applications.  

(Source: DIODES datasheet for ZXTN26020DMFTA)

HIGH GAIN, LOW VCE(SAT) NPN BIPOLAR TRANSISTOR

HIGH GAIN, LOW VCE(SAT) NPN BIPOLAR TRANSISTOR The part **ZXTN26020DMFTA** is manufactured by **Diodes Incorporated (DIDDES)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23F (SC-89)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) @ 500mA, 5V  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-speed switching** and **amplification** applications.  
- **Low saturation voltage** for improved efficiency.  
- **High current gain** for better performance in driver circuits.  
- **Compact SOT-23F package** for space-constrained designs.  
- Suitable for **power management, motor control, and general-purpose switching**.  

For detailed electrical characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.

HIGH GAIN, LOW VCE(SAT) NPN BIPOLAR TRANSISTOR