### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-89  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 20V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) @ 500mA, 5V  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **ZXTN620MATA** is a high-performance NPN transistor designed for switching and amplification applications. It features low saturation voltage and high current gain, making it suitable for power management and signal amplification.  

### **Features:**  
- High current capability (3A)  
- Low saturation voltage  
- High DC current gain (h_FE)  
- Suitable for high-speed switching  
- Compact SOT-89 package for space-constrained applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet.