COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS The 2N3055A is a silicon NPN power transistor manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-3
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 100V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 7V
- **Collector Current (I_C)**: 15A (continuous), 30A (peak)
- **Power Dissipation (P_D)**: 115W at 25°C case temperature
- **DC Current Gain (h_FE)**: 20-70 at I_C = 4A, V_CE = 4V
- **Transition Frequency (f_T)**: 2.5MHz (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -65°C to +200°C
- **Storage Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics.