Dual N-channel JFET general purpose amplifier. The 2N5197 is a high-voltage NPN transistor manufactured by Vishay. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 350 V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 350 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 7 V
- **Collector Current (I_C)**: 1 A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1 W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 160 (at I_C = 0.5 A, V_CE = 10 V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 50 MHz
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -65°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on Vishay's datasheet for the 2N5197 transistor.

Dual N-channel JFET general purpose amplifier. The 2N5197 is a high-voltage NPN transistor manufactured by Intersil. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 250V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 300V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 1A
- **Power Dissipation (P_D)**: 10W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39 metal can

These specifications are typical for the 2N5197 transistor as provided by Intersil.