Amplifier Transistor(PNP Silicon) The 2N5401G is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -150 V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -160 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5.0 V
- **Collector Current (I_C)**: -600 mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625 mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60 to 240 (at I_C = -10 mA, V_CE = -5 V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the datasheet provided by ON Semiconductor.