Trans GP BJT NPN 35V 1A 4-Pin Style M135 The 2N5641 is a silicon NPN power transistor manufactured by various companies, including ON Semiconductor. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 80V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 100V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V
- **Collector Current (I_C):** 5A
- **Power Dissipation (P_D):** 50W
- **DC Current Gain (h_FE):** 20 to 70
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

It is commonly used in power amplification and switching applications. Always refer to the specific datasheet from the manufacturer for detailed and precise information.