EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS The 2N6111 is a silicon PNP power transistor manufactured by ON Semiconductor. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -60V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V
- **Collector Current (I_C):** -4A
- **Power Dissipation (P_D):** 40W
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 160
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +200°C
- **Package Type:** TO-220

These specifications are typical for the 2N6111 transistor as provided by ON Semiconductor.

EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS The 2N6111 is a PNP silicon power transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -4A
- **Power Dissipation (Pd)**: 40W
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 160
- **Transition Frequency (ft)**: 3MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics.