TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors The 2N6349 is a silicon NPN power transistor manufactured by Semiconductor Components Industries, LLC (formerly ON Semiconductor). Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 80V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 100V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 10A
- **Power Dissipation (PD):** 75W
- **DC Current Gain (hFE):** 20 to 70 at IC = 5A, VCE = 4V
- **Transition Frequency (fT):** 4MHz
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +200°C
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2N6349 transistor as provided by the manufacturer.

TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors The 2N6349 is a silicon NPN power transistor manufactured by Motorola (MOT). It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 80V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 100V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V
- **Collector Current (I_C):** 8A
- **Power Dissipation (P_D):** 75W
- **DC Current Gain (h_FE):** 15 to 60
- **Transition Frequency (f_T):** 4MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

The transistor is packaged in a TO-3 metal case.