Trans GP BJT PNP 120V 1A 3-Pin TO-126IS The 2SA1358 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are its key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** -120V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -120V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on conditions)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz
- **Package:** TO-126

These specifications are based on standard operating conditions unless otherwise noted.