High-Definition CRT Display, Video Output Applications The part 2SA1370 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP silicon transistor
- **Manufacturer**: Toshiba
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the standard operating conditions provided by Toshiba.

High-Definition CRT Display, Video Output Applications The 2SA1370 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SA1370 transistor as provided by SANYO.