PNP / NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS The 2SA1511 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 560 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (at VCE = -10V, IC = -50mA, f = 100MHz)
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are based on the standard operating conditions provided by Toshiba for the 2SA1511 transistor.