PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Voltage Switching Applications The 2SA1709 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 560 (at VCE = -6V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (at VCE = -10V, IC = -50mA, f = 100MHz)
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SA1709 transistor.