TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) POWER AMPLIFIER AND DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS The 2SA1932 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -180V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -180V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SA1932 transistor.

TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) POWER AMPLIFIER AND DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS The 2SA1932 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -180V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -180V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SA1932 transistor.