Trans GP BJT PNP 120V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN The 2SA1940 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz
- **Package:** TO-3P

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SA1940 transistor.