Transistor Silicon PNP Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications The 2SA2070 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on the specific model)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SA2070 transistor and are based on Toshiba's datasheet.

Transistor Silicon PNP Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications The 2SA2070 is a PNP silicon transistor manufactured by TOSHIBA. Here are its key specifications:

- **Type:** PNP Silicon Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (at VCE = -5V, IC = -150mA, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220F (isolated type)

This transistor is commonly used in audio amplification and general-purpose switching applications.