Small-signal device The UTG (Under the Gun) part 2SB0789 is a PNP silicon transistor manufactured by UTG. The key specifications for this transistor are as follows:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320 (at Vce = -5V, Ic = -1A)
- **Transition Frequency (ft)**: 3MHz (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by UTG for the 2SB0789 transistor.