PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications The part 2SB1202 is a PNP silicon epitaxial planar transistor. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at IC = 0.5A, VCE = -5V, f = 1MHz)

The transistor is typically packaged in a TO-220 package.