PNP SILICON TRANSISTOR The 2SB734 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. According to NEC specifications, the 2SB734 has the following key parameters:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -3A  
- **Power Dissipation (Pc):** 25W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

These specifications are based on standard operating conditions and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise details.