POWER TRANSISTORS(3.0A,60V,30W) The FSC (Federal Supply Class) specifications for part 2SB834 are not explicitly provided in Ic-phoenix technical data files. To obtain detailed FSC specifications for this part, you would typically need to consult official FSC documentation, databases, or the manufacturer's technical datasheets. The FSC system is used by the U.S. government to classify and manage supplies and equipment, and each part is assigned a specific FSC code that corresponds to its category and characteristics. For precise details, refer to the relevant FSC catalog or contact the manufacturer directly.

POWER TRANSISTORS(3.0A,60V,30W) Part 2SB834 is a specific component or part number, and FAI (First Article Inspection) specifications refer to the detailed requirements and standards that must be met during the initial inspection of the first production unit. However, Ic-phoenix technical data files does not contain specific factual information about the manufacturer or FAI specifications for part 2SB834. For precise details, you would need to consult the manufacturer's documentation, technical datasheets, or relevant industry standards.

POWER TRANSISTORS(3.0A,60V,30W) The 2SB834 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Its key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -0.5A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SB834 transistor.