PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Large-Current Driving Applications The 2SB926 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by PANASONIC. Its key specifications include:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB926 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Large-Current Driving Applications The 2SB926 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SB926 transistor and are subject to standard manufacturing variations.