Power Device The 2SB945 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Transistor Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 30W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on operating conditions)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise details.

Power Device The 2SB945 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 900mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics, refer to the official datasheet provided by Panasonic.