Silicon NPN Power Transistors TO-126 package The 2SC2270 is a high-frequency transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 60-320
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SC2270 transistor.