Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) High Frequency Amplifier Applications FM, RF, MIX,IF Amplifier Applications The 2SC2714 is a transistor manufactured by DIODES. It is an NPN silicon epitaxial planar transistor designed for general-purpose amplifier applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 45V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 100mA
- **Total Power Dissipation (PTOT):** 300mW
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at IC = 2mA, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (at IC = 10mA, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C

The transistor is available in a TO-92 package.