Silicon NPN Power Transistors TO-220Fa package The 2SC3309 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification and high-speed switching
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz (min)
- **Collector Capacitance (Cob)**: 10pF (max)
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC3309 transistor.