Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications The 2SC3326 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF and microwave applications. Key specifications include:

- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 12V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 12V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V
- **Collector Current (IC):** 50mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW
- **Transition Frequency (fT):** 7GHz
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE):** 20 to 200
- **Package:** SOT-323 (SC-70)

These specifications make the 2SC3326 suitable for low-noise amplification and high-speed switching in RF circuits.