TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS The 2SC3421 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for use in RF amplifiers and oscillators. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 30V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 15V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 3V
- Collector Current (IC): 50mA
- Total Power Dissipation (PT): 200mW
- Transition Frequency (fT): 6GHz
- Noise Figure (NF): 1.5dB (typical at 1GHz)
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C

The transistor is housed in a TO-92 package.