Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Ultra High Speed Switching Applications Computer, Counter Applications The 2SC3437 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 300V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 300V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC3437 transistor.

Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Ultra High Speed Switching Applications Computer, Counter Applications The 2SC3437 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-speed switching and amplification in high-frequency applications
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 300V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 300V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V
- **Collector Current (IC)**: 0.1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 0.8W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Collector Capacitance (Cob)**: 2.5pF
- **Package**: TO-92

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC3437 transistor.