TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. The 2SC3710A is a high-frequency transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 1.5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain Bandwidth Product (GBP)**: 1.5GHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the 2SC3710A transistor.

TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. The 2SC3710A is a high-frequency transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from the Toshiba datasheet:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: Designed for VHF band low-noise amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 600MHz (typical)
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 100MHz, VCE=6V, IC=2mA)
- **Gain (hFE)**: 40 to 200 (at VCE=6V, IC=2mA)

These specifications are based on the Toshiba datasheet for the 2SC3710A transistor.