Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) The 2SC3795 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for use in RF amplifiers and oscillators. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 30V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 15V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 3V
- Collector Current (IC): 50mA
- Total Power Dissipation (PT): 150mW
- Transition Frequency (fT): 7GHz
- Noise Figure (NF): 1.5dB (typical at 1GHz)
- Package: SOT-323

These specifications are typical for the 2SC3795 transistor, and actual performance may vary based on operating conditions.

Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) The 2SC3795 is a high-frequency transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 800MHz
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 800MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Package**: SOT-23

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SC3795 transistor.