NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Switching Applications (With Bias Resistance) The 2SC3912 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by SANYO. It is designed for use in RF and VHF applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: TO-92

These specifications make the 2SC3912 suitable for use in RF amplifiers, oscillators, and other high-frequency circuits.

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Switching Applications (With Bias Resistance) The 2SC3912 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by SANYO. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-speed switching, amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Collector Capacitance (Cob)**: 6pF
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC3912 transistor as provided by SANYO.