Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications The 2SC4843 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 900V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 1200V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 7V
- **Collector Current (IC):** 8A
- **Collector Dissipation (PC):** 50W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 15 to 60 (at IC = 4A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 10MHz (min)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 1.5V (max) at IC = 4A, IB = 0.8A
- **Turn-On Time (ton):** 0.3µs (max)
- **Turn-Off Time (toff):** 1.0µs (max)
- **Package:** TO-3P

These specifications are typical for the 2SC4843 transistor and are intended for use in high-voltage, high-speed switching applications.