Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications The 2SC5090 is a high-frequency, high-speed switching NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon (Si)
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 900V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 800V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 7A
- **Collector Dissipation (PC)**: 40W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at IC = 3A, VCE = 5V)

These specifications are typical for the 2SC5090 transistor and are subject to variation based on operating conditions.