Silicon NPN Power Transistors TO-220 package The part 2SD799 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. The key specifications for the 2SD799 transistor are as follows:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.3V (max) (at IC = 1.5A, IB = 0.15A)

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD799 transistor.

Silicon NPN Power Transistors TO-220 package The 2SD799 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 150V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 150V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 1.5A
- Total Power Dissipation (PT): 20W
- Transition Frequency (fT): 100MHz
- DC Current Gain (hFE): 60 to 320
- Operating Junction Temperature (Tj): -55°C to 150°C

The transistor is packaged in a TO-220 package, which is a common through-hole package for power transistors. It is suitable for use in power amplifiers, switching regulators, and other high-power applications.