Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Power Amplifier Application The 2SJ201 is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -250V
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: -7A
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (typical) at V_GS = -10V, I_D = -4A
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 150pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the 2SJ201 MOSFET.

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Power Amplifier Application The 2SJ201 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -10A
- **Power Dissipation (Pd):** 30W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.045Ω (max) at Vgs = -10V, Id = -5A
- **Gate Threshold Voltage (Vth):** -1V to -3V
- **Input Capacitance (Ciss):** 800pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to 150°C
- **Package:** TO-220AB

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.