Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-pi-MOSV) Relay Drive, DC .DC Converter and Motor Drive Applications The 2SJ378 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the Toshiba datasheet:

1. **Type**: P-channel MOSFET.
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V.
3. **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V.
4. **Drain Current (I_D)**: -50A (continuous), -200A (pulsed).
5. **Power Dissipation (P_D)**: 100W.
6. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.018Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -25A.
7. **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.0V to -3.0V.
8. **Input Capacitance (C_iss)**: 3000pF (typical).
9. **Output Capacitance (C_oss)**: 1000pF (typical).
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 200pF (typical).
11. **Package**: TO-220SIS.

These specifications are based on the Toshiba datasheet for the 2SJ378 MOSFET.

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-pi-MOSV) Relay Drive, DC .DC Converter and Motor Drive Applications The 2SJ378 is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V DSS):** -30V
- **Continuous Drain Current (I D):** -12A
- **Power Dissipation (P D):** 30W
- **Gate-Source Voltage (V GS):** ±20V
- **On-Resistance (R DS(on)):** 0.045Ω (typical) at V GS = -10V
- **Threshold Voltage (V GS(th)):** -1V to -3V
- **Package:** TO-220SIS

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SJ378 MOSFET.