P-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The 2SJ579 is a P-channel MOSFET manufactured by SANYO. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -50A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.025Ω (typical) at Vgs = -10V
- **Gate Threshold Voltage (Vth):** -1V to -3V
- **Package:** TO-220

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.