SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE The part 2SK2512 is a MOSFET transistor manufactured by NEC. It is an N-channel enhancement mode field-effect transistor designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.03Ω (typical)  
- **Gate Charge (Q_g)**: 50nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 2000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typical)  

The transistor is packaged in a TO-220AB form factor, making it suitable for various power electronics applications.