Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment High Speed Switch Applications Analog Switch Applications The 2SK2823 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (max) at Vgs = 10V, Id = 5A
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1000pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss)**: 150pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 50ns (typ)
- **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment High Speed Switch Applications Analog Switch Applications The 2SK2823 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 900V
- **Drain Current (I_D)**: 5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 60pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to 150°C
- **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SK2823 MOSFET.