N-channel MOS-FET The part 2SK3273-01MR is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Fuji Electric. Below are the factual specifications for this component:

1. **Type**: N-channel MOSFET
2. **Drain-Source Voltage (Vds)**: 600V
3. **Drain Current (Id)**: 10A
4. **Power Dissipation (Pd)**: 50W
5. **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
6. **On-Resistance (Rds(on))**: 0.75Ω (typical)
7. **Package**: TO-220F
8. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
9. **Mounting Type**: Through Hole
10. **Application**: Suitable for switching applications in power supplies, inverters, and other high-voltage circuits.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the specific conditions and tolerances outlined therein.

N-channel MOS-FET The part 2SK3273-01MR is a MOSFET transistor manufactured by FUJI. It is designed for high-speed switching applications and is commonly used in power supply circuits, inverters, and motor control systems. The key specifications of the 2SK3273-01MR include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 500V
- **Drain Current (Id):** 10A
- **Power Dissipation (Pd):** 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.45Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)
- **Package:** TO-220F

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.