0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET The part **ATF-10136-STR** is a **GaAs FET (Gallium Arsenide Field-Effect Transistor)** manufactured by **Agilent Technologies**.  

### Key Specifications:  
- **Frequency Range:** DC to 8 GHz  
- **Noise Figure:** 0.5 dB (typical at 2 GHz)  
- **Gain:** 13 dB (typical at 2 GHz)  
- **VDS (Drain-Source Voltage):** 3 V  
- **IDSS (Drain-Source Saturation Current):** 30 mA (typical)  
- **Package Type:** SOT-343 (SC-70)  
- **Applications:** Low-noise amplifiers (LNAs), RF/microwave circuits  

This part is designed for high-frequency, low-noise applications in communication and test equipment.  

(Source: Agilent Technologies datasheet for ATF-10136-STR)