NPN/NPN matched double transistors The BCM847BV is a dual NPN/PNP general-purpose transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are the key PHI (Package, Handling, and Installation) specifications:

1. **Package Type**: SOT666 (also known as DHVQFN8), a leadless plastic dual flat no-leads package with 8 terminals.
2. **Dimensions**:  
   - Body size: 1.5 mm × 1.5 mm  
   - Height: 0.5 mm (nominal)  
3. **Moisture Sensitivity Level (MSL)**: MSL1 (unlimited floor life at ≤30°C/85% RH).  
4. **ESD Sensitivity**: Class 1B (Human Body Model: ≥500 V to <1000 V).  
5. **Terminal Finish**: Matte Tin (Sn) plating.  
6. **Storage Conditions**: -65°C to +150°C (non-condensing).  
7. **Soldering Profile**:  
   - Reflow peak temperature: 260°C (Pb-free process).  
   - Maximum time above 217°C: 60 seconds.  

These are the factual PHI specifications for the BCM847BV as per the manufacturer's datasheet.

NPN/NPN matched double transistors The BCM847BV is a dual NPN/PNP general-purpose transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:  

- **Type:** Dual NPN/PNP transistor  
- **Package:** SOT666 (6-pin)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):**  
  - NPN: 50V  
  - PNP: 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):**  
  - NPN: 50V  
  - PNP: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):**  
  - NPN: 5V  
  - PNP: 5V  
- **Collector Current (IC):**  
  - NPN: 100mA  
  - PNP: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):**  
  - NPN: 100–400  
  - PNP: 100–400  
- **Transition Frequency (fT):**  
  - NPN: 100MHz  
  - PNP: 80MHz  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official NXP datasheet.