Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors The BCW60B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **SIEMENS**.  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–630 (varies by operating conditions)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Typical Applications:**  
- Amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the BCW60B transistor by SIEMENS.