**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 45V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 800mA (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 330mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–630 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Applications:**  
- Switching and amplification in low-power circuits  
- Signal processing  
- General-purpose electronic circuits  

For detailed datasheet information, refer to ON Semiconductor's official documentation.